本标准适用于单晶硅、多晶硅太阳电池，也可用于经过封装，但电池的电路单独引出的样品。
晶体硅太阳电池热斑耐久性能试验方法标准号为DB32/T 3594-2019，发布日期：2019-04-08、实施日期：2019-04-30，所属行业分类制造业。
本文网址：https://www.171zz.com/document/14246.html
DB32/T 3594-2019
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*本标准 DB32/T 3594-2019 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。
本标准适用于单晶硅、多晶硅太阳电池，也可用于经过封装，但电池的电路单独引出的样品。
晶体硅太阳电池热斑耐久性能试验方法标准号为DB32/T 3594-2019，发布日期：2019-04-08、实施日期：2019-04-30，所属行业分类制造业。
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