内容简要 本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层。…
碳化硅外延片表面缺陷测试方法标准号为T/IAWBS 002-2017，发布日期：2017-12-20、实施日期：2017-12-31，所属团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
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T/IAWBS 002-2017
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*本标准 T/IAWBS 002-2017 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。