内容简要 SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiCPiN二极管、IGBT及GTO晶…
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片标准号为T/CASAS 003-2018，发布日期：2018-11-20、实施日期：2018-11-20，所属团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
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T/CASAS 003-2018
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*本标准 T/CASAS 003-2018 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。