内容简要 碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡…
导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法标准号为T/IAWBS 011-2019，发布日期：2019-12-27、实施日期：2019-12-31，所属团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
本文网址：https://www.171zz.com/document/188627.html
T/IAWBS 011-2019
下载需要10积分，会员免费下载。
*本标准 T/IAWBS 011-2019 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。