内容简要 本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。本文件适用于典型的宽禁带半导体材料,如:氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、…
宽禁带半导体术语标准号为T/CASAS 002-2021,发布日期:2021-03-08、实施日期:2021-03-08,所属团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文网址:https://www.171zz.com/document/193558.html
内容简要 本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。本文件适用于典型的宽禁带半导体材料,如:氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、…
宽禁带半导体术语标准号为T/CASAS 002-2021,发布日期:2021-03-08、实施日期:2021-03-08,所属团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
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