内容简要 氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力…
氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法标准号为T/IAWBS 015-2021，发布日期：2021-09-15、实施日期：2021-09-22，所属团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
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T/IAWBS 015-2021
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*本标准 T/IAWBS 015-2021 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。