本标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用 本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法标准号为GB/T 24576-2009，发布日期：2009-10-30、实施日期：2010-06-01，所属行业分类电气工程。
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