本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或直流1500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。注1：此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。注2：在多数情况下，组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性，难以作出一般的规定；组合设备是否适合作熔断器底座，应由用户与制造厂协商。但是，如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件，他们应符合GB 13539.1-2008的相关要求。本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了：a) 熔断体的下列特性：1) 额定值；2) 正常工作时的温升；3) 耗散功率；4) 时间-电流特性；5) 分断能力；6) 截断电流特性和I2t特性；7) 电弧电压极限值。b) 验证熔断体特性的型式试验；c) 熔断体标志；d) 应提供的技术数据(见附录B)。
低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求标准号为GB/T 13539.4-2009，发布日期：2009-04-21、实施日期：2009-11-01，所属行业分类电气工程。
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