本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。此标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
硅片径向电阻率变化的测量方法标准号为GB/T 11073-2007，发布日期：2007-09-11、实施日期：2008-02-01，所属行业分类冶金。
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GB/T 11073-2007
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*本标准 GB/T 11073-2007 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。