本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。此标准适用非接触、非破坏性地测量干燥、净洁的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100 mm及以上、厚度250μm及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。
硅片局部平整度非接触式标准测试方法标准号为GB/T 19922-2005,发布日期:2005-09-19、实施日期:2006-04-01,所属行业分类冶金。
本文网址:https://www.171zz.com/document/256017.html
本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。此标准适用非接触、非破坏性地测量干燥、净洁的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100 mm及以上、厚度250μm及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。
硅片局部平整度非接触式标准测试方法标准号为GB/T 19922-2005,发布日期:2005-09-19、实施日期:2006-04-01,所属行业分类冶金。
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