本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。此标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法标准号为GB/T 19444-2004,发布日期:2004-02-05、实施日期:2004-07-01,所属行业分类电气工程。
本文网址:https://www.171zz.com/document/257531.html
本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。此标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法标准号为GB/T 19444-2004,发布日期:2004-02-05、实施日期:2004-07-01,所属行业分类电气工程。
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