本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。
本标准适用于测试位错密度小于1000个／cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法标准号为GB/T 34481-2017，发布日期：2017-10-14、实施日期：2018-07-01，所属行业分类冶金。
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GB/T 34481-2017
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*本标准 GB/T 34481-2017 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。