本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。此标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。
硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则标准号为GB/T 28274-2012，发布日期：2012-05-11、实施日期：2012-12-01，所属行业分类电子学。
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