1.1此标准规定了Ⅲ—Y族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。1.2此标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。
化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法标准号为GB/T 26070-2010，发布日期：2011-01-10、实施日期：2011-10-01，所属行业分类冶金。
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GB/T 26070-2010
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*本标准 GB/T 26070-2010 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。