内容简要 本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底(N型掺杂浓度>5×1018cm-3)上同质外延层(掺杂浓度5×1014cm-3-5×1016cm-3)厚度的红外反射测量方法。本标准适用…
4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法标准号为T/IAWBS 007-2018,发布日期:2018-12-06、实施日期:2018-12-17,所属团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
本文网址:https://www.171zz.com/document/184679.html
内容简要 本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底(N型掺杂浓度>5×1018cm-3)上同质外延层(掺杂浓度5×1014cm-3-5×1016cm-3)厚度的红外反射测量方法。本标准适用…
4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法标准号为T/IAWBS 007-2018,发布日期:2018-12-06、实施日期:2018-12-17,所属团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
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