内容简要 半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精…
半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法标准号为T/CASAS 009-2019，发布日期：2019-11-25、实施日期：2019-11-25，所属团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
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