内容简要 由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了…
4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语标准号为T/CASAS 004.1-2018，发布日期：2018-11-20、实施日期：2018-11-20，所属团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
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T/CASAS 004.1-2018
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*本标准 T/CASAS 004.1-2018 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。