内容简要 碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高…
碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范标准号为T/CASAS 001-2018，发布日期：2018-09-21、实施日期：2018-09-21，所属团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
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T/CASAS 001-2018
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*本标准 T/CASAS 001-2018 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。