内容简要 近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源…
SiC晶片的残余应力检测方法标准号为T/IAWBS 008-2019，发布日期：2019-12-27、实施日期：2019-12-31，所属团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
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T/IAWBS 008-2019
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*本标准 T/IAWBS 008-2019 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。