内容简要 本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。…
SiC晶片的残余应力检测方法标准号为T/ZSA 38-2020，发布日期：2020-12-17、实施日期：2020-12-18，所属团体名称为中关村标准化协会。
本文网址：https://www.171zz.com/document/215577.html
T/ZSA 38-2020
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*本标准 T/ZSA 38-2020 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。