内容简要 SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚…
半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法标准号为T/IAWBS 013-2019，发布日期：2019-12-27、实施日期：2019-12-31，所属团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
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T/IAWBS 013-2019
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*本标准 T/IAWBS 013-2019 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。