内容简要 碳化硅（这里指4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大…
碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法标准号为T/CASAS 013-2021，发布日期：2021-11-01、实施日期：2021-12-01，所属团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
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T/CASAS 013-2021
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*本标准 T/CASAS 013-2021 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。