内容简要 本标准给出了磁随机存储(MagneticRandom-AccessMemory;MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于磁随机存储芯…
磁随机存储芯片测试方法标准号为T/CIE 126-2021，发布日期：2021-12-23、实施日期：2022-02-10，所属团体名称为中国电子学会。
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T/CIE 126-2021
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*本标准 T/CIE 126-2021 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。