内容简要 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术…
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法标准号为T/CASAS 015-2022，发布日期：2022-07-18、实施日期：2022-07-18，所属团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
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