u3000u3000此标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 u3000u3000此标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法标准号为GB/T 6616-2009，发布日期：2009-10-30、实施日期：2010-06-01，所属行业分类电气工程。
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