本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。此标准适用于衬底在23℃电阻串小于0.02Ω?cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω?cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法标准号为GB/T 14847-2010，发布日期：2011-01-10、实施日期：2011-10-01，所属行业分类电气工程。
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