本标准给出了4H-SiC(碳化硅）同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按品体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL）和X射线形貌（XRT))图像等无损检测方法进行识别。
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类标准号为GB/T 43493.1-2023，发布日期：2023-12-28、实施日期：2024-07-01，所属行业分类电子学。
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GB/T 43493.1-2023
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*本标准 GB/T 43493.1-2023 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。