本标准规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅-硅共熔键合、硅-玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本标准适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量标准号为GB/T 41853-2022,发布日期:2022-10-12、实施日期:2022-10-12,所属行业分类电子学。
本文网址:https://www.171zz.com/document/288571.html
本标准规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅-硅共熔键合、硅-玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本标准适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量标准号为GB/T 41853-2022,发布日期:2022-10-12、实施日期:2022-10-12,所属行业分类电子学。
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