本标准描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本标准适用于硼原子浓度范围1 × 1016atoms/cm3~1×1020atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50nm及以上。
表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法标准号为GB/T 40109-2021，发布日期：2021-05-21、实施日期：2021-12-01，所属行业分类化工技术。
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