内容简要 随着科技的发展和进步，第三代半导体材料碳化硅（SiC）取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源…
碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法标准号为T/IAWBS 014-2021，发布日期：2021-09-15、实施日期：2021-09-22，所属团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
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T/IAWBS 014-2021
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*本标准 T/IAWBS 014-2021 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。