内容简要 随着SiC产业的发展，获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，…
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法标准号为T/IAWBS 010-2019，发布日期：2019-12-27、实施日期：2019-12-31，所属团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟。
本文网址：https://www.171zz.com/document/188830.html