本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。此标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法标准号为GB/T 24581-2009，发布日期：2009-10-30、实施日期：2010-06-01，所属行业分类电气工程。
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