本标准规定了导电型4H碳化硅（4H-SiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。
本标准适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺）的研发、生产及检测分析等环节。
碳化硅晶体材料缺陷图谱标准号为GB/T 43612-2023，发布日期：2023-12-28、实施日期：2024-07-01，所属行业分类电气工程。
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GB/T 43612-2023
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*本标准 GB/T 43612-2023 仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。