本标准规定了基于光学干涉显微镜获取MEMS微结构表面形貌进行面内长度测量的方法。
本标准适用于表面反射率不低于4%,宽深比不低于1:10,且使用光学干涉显微镜能够获取形貌的MEMS微结构。
微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法标准号为GB/T 34893-2017,发布日期:2017-11-01、实施日期:2018-05-01,所属行业分类电子学。
本文网址:https://www.171zz.com/document/269055.html
本标准规定了基于光学干涉显微镜获取MEMS微结构表面形貌进行面内长度测量的方法。
本标准适用于表面反射率不低于4%,宽深比不低于1:10,且使用光学干涉显微镜能够获取形貌的MEMS微结构。
微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法标准号为GB/T 34893-2017,发布日期:2017-11-01、实施日期:2018-05-01,所属行业分类电子学。
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