本标准提供了商用碳化硅（4H-SiC）同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法标准号为GB/T 43493.3-2023，发布日期：2023-12-28、实施日期：2024-07-01，所属行业分类电子学。
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